ELEKTRIČNA STRUJA KROZ POLUVODIČE plouvodička tehnika germanij (Ge) i silicij (Si) 4-valentni elementi otpor Wcm izolatori >> 108 Ωcm pri normalnoj temperaturi i tlaku kristalografska rešetka atoma – (germanij 32 elektrona, silicij 14 elektrona) 4 valentna elektrona nisu čvrsto vezana poluvodiči 10-1 - 108 Ωcm "električki" prikaz atoma (Ge, Si) - jezgra sa 4 pozitivna naboja - 4 kružeća “slobodna” elektrona vodiči << 10-1 Ωcm

poluvodiči - niske temperature  valentne veze stabilnije  kristali izolatori povišene temperature  valantne veze nestabilnije  slobodni elektroni vodiči - niske temperature  kristalne rešetke stabilnije  veća vodljivost povišene temperature  kristalne rešetke nestabilnije  manja vodljivost

čisti poluvodič  intrinsična vodljivost obogaćeni poluvodič  ekstrinsična vodljivost obogaćivanje (dopiranje) = onečišćavanje primjesama (tro i peterovalentim atomima) dopiranjem poluvodič ostaje električki neutralan bor (B) aluminij (Al) galij (Ga) indij (In) dopiranje trovalentnim elementom (akceptorima)  višak šupljina = P tip poluvodiča u vođenju električne struje sudjeluju i šupline i elektoni ali s različitim omjerom

mijenja se vodljivost poluvodiča fosfor (P) arsen (As) antimon (Sb) dopiranje peterovalentnim elementom (donorima)  višak elektrona = N tip poluvodiča u vođenju električne struje sudjeluju i šupline i elektoni ali s različitim omjerom jače dopiranje (veći broj akceptora ili donora)  veća koncentracija nosioca naboja  manja koncentracija nosioca suprotno polariziranog naboja (elektrona ili šupljina)  mijenja se vodljivost poluvodiča

P-N spoj - poluvodička dioda

Zener-dioda - stabilizacija napona dioda - ispravljački ventil

Tranzistori

Tiristori

Triaci

Više na http://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_circuit#Invention 1874 Fredinand Braun – metal oksid / metal sulfid ispravljački efekt 1935 Bediks – Švedska Ge detektor 1941 Davidenko, Morgulius, Davidov - teorija poluvodiča (Akademija SSSR) 1947 Pearson, Moor, Shockley – tranzistorski efekt Bell laloratirij – (NN 1956) istraživanje polja u blizini metalne elektrode točkaste diode (nekoliko desetaka m) 1949 slojni tranzistor 1952 unipolarni tranzistor 1958 Jack Kilby /Texsas Instrimenuts/ i Robert Novace /Fairchild Semiconductors/ integrirani sklop Više na http://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_circuit#Invention

integrirani sklop - Jack Kilby 1958